Micron a Intel: Nová 3D NAND Flash pamäť
- Autor:
- Roman Mališka
- Zverejnené:
- 31. 3. 2015
- Hodnotenie:
- Už ste hlasovali.
Spoločnosti Micron Technology a Intel predstavili technológiu 3D NAND, čo je flash pamäť vyrobená s doteraz najvyššou hustotou na svete. Flash je technológia pre uchovávanie a čítanie digitálnych dát v tých najľahších laptopoch, najrýchlejších dátových centrách, takmer v každom smartfóne, tablete a mobilnom zariadení.
Táto nová technológia 3D NAND, ktorá je výsledkom spoločného úsilia Intel a Micron, na seba vertikálne ukladá vrstvy pamäťových buniek s neuveriteľnou presnosťou, čím vytvára pamäťové zariadenia s trikrát vyššou kapacitou než konkurenčné NAND technológie.
Výsledkom je viac úložného miesta na menšej ploche s výraznou úsporou nákladov, nízkou energetickou náročnosťou a vysokým výkonom pre celú škálu mobilných zariadení pre spotrebiteľov a tiež aj pre najnáročnejšie podnikové nasadenie.
Planárna NAND flash pamäť sa blíži ku svojim praktickým limitom, čo predstavuje výzvu pre priemysel s pamäťovými médiami. Technológia 3D NAND je pripravená na dramatický dosah tým, že ponechá riešenia flash pamäte v súlade s Moorovým zákonom, kde platí, že trajektórie pre pokračujúci nárast výkonu a úspory nákladov budú stáť za širším používaním flash pamäte.
Inovatívna procesná architektúra
Jedným z najvýznamnejších aspektov tejto technológie je základná pamäťová bunka ako taká. Intel a Micron sa rozhodli pre bunku plávajúceho hradla, teda pre univerzálne používaný dizajn vylepšený rokmi výroby vysokých objemov planárnych flashových pamätí. Ide o prvé použitie bunky plávajúceho hradla v 3D NAND, čo stojí za lepším výkonom a vyššou kvalitou a spoľahlivosťou.
Nová 3D NAND technológia stavia na seba bunky flash pamäte vertikálne do 32 vrstiev, čím získava 256 Gb viacúrovňovú bunku (MLC) a 384 Gb trojúrovňovú bunku (TLC), ktorá sa zmestí do štandardného obalu.
Tieto kapacity umožnia tzv. gumstick SSD disky s úložným miestom viac než 3,5 TB a štandardné 2,5” SSD disky s možnosťou uložiť viac než 10 TB. Keďže sa kapacita navyšuje ukladaním buniek vertikálne, jednotlivé rozmery bunky môžu byť výrazne väčšie. Očakáva sa, že sa to odrazí tak na výkone ako aj výdrži a dokonca aj TLC dizajn bude vhodný pre úložiská dátových centier.
Prednosti 3D NAND dizajnu:
● Veľké kapacity –Trojnásobok kapacity súčasnej 3D technológie - až do 48 Gb v jednej vrstve - umožní umiestniť až ¾ TB do jediného obalu vo veľkosti končeka prstu.
● Nižšia cena za Gb – Prvá generácia 3D NAND je navrhnutá tak, aby dosiahla väčšiu úsporu nákladov než planárna NAND.
● Rýchlosť – vysoká rýchlosť čítania/zápisu, I/O rýchlosti a výkon v náhodnom čítaní.
● Ekologickosť – Nové režimy spánku umožňujú nízku energetickú náročnosť prepnutím na neaktívnu vrstvu NAND (i keď ďalšie vrstvy v rovnakom obale sú aktívne), čím sa výrazne znižuje spotreba energie v pohotovostnom režime.
● Smart riešenie – Nové inovatívne prvky zlepšujú latenciu a zvyšujú výdrž oproti predchádzajúcim generáciám, pričom sa zjednodušila aj integrácia systému.
Verzia 256Gb MLC 3D NAND sa v súčasnosti ponúka na vzorkovanie pre vybraných partnerov a dizajn 384Gb TLC príde na rad v neskorších jarných mesiacoch. Spustila sa aj prvotná výroba a do plnej produkcie sa obidve zariadenia dostanú v poslednom štvrťroku 2015.
Obidve spoločnosti vyvíjajú tiež vlastné rady SSD riešení na báze 3D NAND technológie a očakáva sa, že tieto produkty budú dostupné v priebehu budúceho roka.
(Zdroj: Tlačová správa Intel)
